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    本發明的黑色微粒子係包含由粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或矽所形成之1次粒子集合成的2次粒子，此2次粒子的粒徑為5nm以上300nm以下。又，本發明的黑色微粒子分散液之特徵為：由含有前述黑色微粒子與高分子分散劑所組成。
    公开号:TW201302930A
    申请号:TW101136174
    申请日:2005-09-16
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Yosuke Takeda；Tooru Kinoshita；Toyomasa Nakano；Hideki Nukui
    申请人:Sumitomo Osaka Cement Co Ltd；
    IPC主号:C09C1-00
    专利说明:
    黑色微粒子、黑色微粒子分散液及使用該分散液之黑色遮光膜，以及附有黑色遮光膜之基材
    本發明是與黑色材料(黑色微粒子)有關，尤其是關於適用為記錄材、液晶顯示器等各種顯示裝置的黑色矩陣(black matrix)等，黑色度高且遮光性優異的黑色材料。又，本發明與黑色微粒子分散液及使用該分散液的黑色遮光膜，以及附有黑色遮光膜之基材有關，尤其是關於適用為記錄材、各種顯示裝置的黑色矩陣、黑色裝飾膜等，黑色度高且遮光性優異的膜技術。
    本案以2004年9月21日申請的日本專利特願2004-273348號、2005年2月17日申請的特願2005-040257號、2005年2月17日申請的特願2005-040258號為基礎主張優先權，並在此援用其內容。
    就以往的黑色材料而言，已知有碳黑、氧化低價鈦、氧化鐵、鉻、銀微粒子等的金屬材料或無機材料(例如，參照專利文獻1)。
    這些黑色材料是利用為對黑色光遮蔽性薄膜、黑色遮蔽光性玻璃、黑色紙、黑色布、黑色油墨、電漿顯示器(PDP)或液晶顯示器(LCD)的黑色矩陣(matrix)材料、黑色密封(seal)材、黑色遮蔽(mask)材等賦與黑色或光遮蔽性的材料。
    另一方面，要將金、白金族元素或這些元素的合金作成黑色時，所採用的方法是在這些金屬或合金的母材表面上形成黑色氧化物被膜，但在此方法中容易使黑色氧化物從母材上剝離，而不能得到具耐久性的黑色金合金。在此有提案在金、白金族元素或這些元素的合金，或前述任何一種金屬或合金中添加銀而形成的合金，再添加銅、鎳、鐵等的金屬後，經過氧化在表面上形成密著性良好的金屬氧化物所組成之黑色氧化物層的黑色合金(參照專利文獻2)。
    在感光材料領域中，對於提高鮮豔性，可以適當濃度記錄從內部曝光的光學資訊，而且經改善顯像處理時的紅外線檢驗特性之照相用感光材料，則有在水性明膠(gelatin)中分散黑色膠體(colloid)銀的黑色膠體銀分散物之提案(參照專利文獻3)。
    但是，對於習知之薄且大型的平面型顯示裝置而言，已知有可以顯示全彩(full color)的液晶顯示器(LCD)。
    於這種彩色液晶顯示器中，在其透明基板上以矩陣(matrix)狀排列的R(紅)、G(綠)、B(藍)之各種畫素，並且為了提高其顯示面的對比(contrast)而形成有高遮光性的黑色矩陣(black matrix)。
    這種黑色矩陣，尤其使用在薄膜電晶體(TFT)的主動矩陣(active matrix)型的液晶顯示器(TFT-LCD)中，除了可防止會引起TFT的光漏電(leak)電流之外，也可阻止各畫素的顯示面之外的光透過，而提高各畫素的對比，進而可提昇顯示裝置的畫質。
    這種黑色矩陣有在TFT陣列(array)基板側形成的情形，及在彩色濾光片側形成的情況。
    在TFT陣列基板側形成時，由於黑色矩陣直接和畫素電極及TFT接觸，故對黑色矩陣要求有高絕緣性。
    另一方面，在彩色濾光片側形成時，尤其是在橫電場驅動方式的液晶顯示器(LCD)時，對於彩色濾光片側的黑色矩陣也要求有高絕緣性。
    這種黑色矩陣雖然一直都是以高遮光性鉻等的金屬膜，藉由真空蒸著法或濺鍍(sputtering)法使透明畫素電極之外的部分被覆成膜，但近年來在替代材料上，已經開發出遮光性高、製程簡單而且價格可再降低的黑色矩陣形成用材料，並已實用化供應。
    對於這樣的黑色矩陣形成用材料，則有如下之提案：如使表面以樹脂或氧化矽被覆而呈絕緣性的碳黑(carbon black)或鈦黑(titan black)，分散於有機溶劑中而形成的分散液(例如，參照專利文獻4、5)、銀微粒子等的金屬微粒子分散在有機溶劑中而形成的分散液(例如，參照專利文獻6、7)。
    專利文獻1：特開平5-127433號公報
    專利文獻2：特開平10-8235號公報
    專利文獻3：特開2000-155387號公報
    專利文獻4：特開2002-201381號公報
    專利文獻5：特開2002-267832號公報
    專利文獻6：特開2004-317897號公報
    專利文獻7：特開2004-334180號公報
    所以，雖然從來的碳黑、氧化低價鈦、氧化鐵等的金屬材料或無機材料均呈黑色，但是其光遮蔽性(遮光性)並不良好。因此，為了使用含有這類黑色材料的膜以遮蔽光線，有必要以含黑色材料的塗布液厚層塗布，或將該塗布液來回多次的塗布，以形成厚質膜的基材。
    使用這些黑色材料作為白色基材上描繪黑色線的記錄材時，由於遮光性弱而會使與底層白色基材的境界線部分模糊，而造成有不能描線清晰的問題。
    又，使用這些黑色材料作為光遮蔽材料時，為了提高其光遮蔽性，有必要使黑色材料在材料中的體積比加多，相對的也將減少黏合劑(binder)的含有量。因此，要使用這些黑色材料來製作黑色塗膜時，會造成塗膜強度降低、塗膜不能長時間維持，以及不能維持遮光膜信賴性等的問題。
    雖然鉻的黑色度及遮光性俱優，但其為一種重金屬、環境負荷性大及高成本等的種種因素，而造成可能適用製品受限的問題。
    又，使用在照相底片等的溴化銀，還原後生成的銀粒子雖黑色度及遮光性均優，但因銀本身為貴金屬而且價格高，除了一部份作成高價製品外，並未應用在一般汎用製品中做為黑色材料。
    使用在照相底片等的溴化銀，還原後生成的銀粒子或黑色銀膠體，雖然黑色度及遮光性均優，但這些黑色銀粒子只有在明膠的存在下始能合成，而且合成後明膠與銀粒子不能完全分離。
    再者，由於明膠不溶於有機溶劑而不能分散於有機溶劑中，因此只能應用在水性塗料中，以致有在塗料的應用領域非常狹窄的問題。
    再加上使用銀膠體製作黑色塗膜時，雖然此黑色塗料的遮光性優異，但因帶有金屬色及受電漿子(plasmon)吸收的顏色，而有不能發現到優異的黑色度的問題。
    本發明的第一項目的是為了解決上述的問題，而提供黑色度高、光遮蔽性優異，而且環境負荷小及價廉的黑色材料。
    本發明的第二項目的是為了解決上述的問題，而提供可得中性(neutral)黑色、遮光性優異，且環境負荷小又價廉的黑色微粒子分散液，以及使用該分散液的黑色遮光膜與附有黑色遮光膜的基材。
    然而，使用以往的碳黑或鈦黑之分散液來製作黑色矩陣時，由於遮光性不足而有必要使用高濃度的分散液或重複塗布等，以增加膜之厚度。但是增加膜厚也會加大黑色矩陣與各畫素間的重疊，使彩色濾光片的平坦性降低，因在各畫素的液晶單元間隙(cell gap)上生成斑點(色彩不均)，以致有難以形成均質畫素的問題。
    在液晶單元間隙(cell gap)上生成斑點時，顯示面上容易產生色斑，其結果會使顯示面的品質下降。
    又，黑色矩陣與各畫素間的重疊加大時，會使各畫素上的黑色矩陣之佔有面積變大，造成有各畫素的開口率下降之問題。開口率下降時，會降低各畫素的亮度(luminance)，結果也使顯示裝置的顯示面之整體亮度降低。
    雖然碳黑或鈦黑都可用氣相法或液相法進行表面處理，但以氣相法進行表面處理時，因粒子不容易分散在氣相中，而以粒子相互間的接觸狀態與要作表面處理的物質混合，以致造成表面處理的均勻性不良，也有粒子相互間凝聚的問題。然後，在粒子表面上施予四乙氧基矽烷(tetra ethoxy silane)等的烷氧化物(alkoxide)之氣相吸附後，雖然可以在減壓下去除過剩的烷氧化物，但這種方法卻有操作煩雜且耗費時間與成本的問題。
    以液相法進行表面處理時，因粒子在液相中呈分散狀態而可以表面處理，雖然與氣相法相比可得均勻的表面處理，但是會得到例如碳黑或鈦黑因粒子相互間的凝聚而呈粉末狀態，欲使其分散在水或有機溶劑中就非常困難。
    另一方面，要使用以往的金屬微粒子之分散液來製作黑色矩陣時，單是使金屬微粒子分散的黑色矩陣就有得不到高絕緣性的問題。
    尤其在使用黑色銀微粒子的分散液時，由於是使用明膠來合成銀微粒子，合成後明膠不能完全去除，以致銀微粒子不能均勻地分散在有機溶劑中。此時，若不使用明膠時就不能合成銀微粒子。
    因此，本發明第三項目的就是為了要解決上述的課題，以提供可易於分散在溶劑中，黑色度高，且具有高絕緣性的黑色微粒子、黑色微粒子分散液與黑色遮光膜，以及附有黑色遮光膜的基材。
    本發明人等針對黑色度優異且光遮蔽性亦優的材料作深入探討的結果，發現是由粒徑1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子集合成粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子所構成，此2次粒子的最外層為含有50重量%以上選自金(Au)、白金(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、釕(Ru)、銅(Cu)、矽(Si)、鈦(Ti)、錫(Sn)、鎳(Ni)中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物之結構，可得到黑色度優異且光遮蔽性亦優的黑色材料，而完成本發明。
    意即，本發明第一項的黑色材料的特徵為：含有由粒徑在1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子集合成的2次粒子，此2次粒子的粒徑在5nm以上300nm以下，此2次粒子的最外層為含有50重量%以上選自金(Au)、白金(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、釕(Ru)、銅(Cu)、矽(Si)、鈦(Ti)、錫(Sn)、鎳(Ni)中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物。
    前述2次粒子是以在其內部形成有空間部者為佳。
    前述2次粒子是以在前述最外層或在由含有前述最外層的複數層所形成的外殼層之內側形成有空間部者為佳。
    前述2次粒子係以由前述最外層或由含有前述最外層之複數層所形成的外殼層被覆成為核之物質的外表面而形成核殼(core-shell)狀者為佳。
    前述外殼層是以緻密者為佳。
    又，本發明人等針對黑色度優異且遮光性亦優的材料作深入探討的結果，認為：使用含有由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子所集合成的平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，與高分子分散劑而成的黑色微粒分散液，即可得到黑色度優異且遮光性亦優的黑色遮光膜或黑色裝飾膜等，而達成本發明。
    為本發明第二項的黑色微粒子分散液之特徵是含有：平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子所集合成的平均粒徑為5nm以上300nm以下的2次粒子，以及高分子分散劑所組成。
    前述微粒子是以含有選自銀、錫、鎳之群組的一種或二種以上者為佳。
    前述高分子分散劑之含量於前述微粒子的全重量中以佔1重量%以上10重量%以下者為佳。
    前述高分子分散劑以聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)為佳。
    前述2次粒子以在其內部形成有空間部者為佳。
    前述2次粒子以在最外層或在由含有該最外層的複數層所形成的外殼層之內側形成有空間部者為佳。
    前述2次粒子係以由前述最外層或由含有前述最外層的複數層所形成的外殼層被覆在做為核之物質的外表面而形成核殼狀者為佳。
    本發明的黑色遮光膜之特徵為，以本發明的黑色微粒子分散液塗布而成。
    本發明附有黑色遮光膜的基材之特徵為：在基材的一主面上備有本發明的黑色遮光膜。
    前述的黑色遮光膜，以CIE明度L＊為10以下、色度a＊為-1以上1以下、色度b＊為-1以上1以下、而光學濃度的OD值在3以上者為佳。
    再者，本發明人等針對可易於分散在溶劑中、黑色度高，而且具有高絕緣性的材料進行深入探討的結果，發現將以往的銀微粒子替換成由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子經集合成平均粒徑為5nm以上300nm以下的2次粒子，更在此2次粒子的表面上被覆絕緣膜，可得到易於分散在溶劑中、黑色度高，而且具有高絕緣性的黑色微粒子，而達成本發明。
    即，為本發明第三項的黑色微粒子之特徵是：由平均粒徑在1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子經集合成平均粒徑為5nm以上300nm以下的2次粒子之表面上，被覆有絕緣膜。
    前述絕緣膜以金屬氧化物或有機高分子化合物為佳。
    前述微粒子以含有選自銀、錫、鎳之群組中的一種或二種以上者為佳。
    本發明的黑色微粒子分散液之特徵是含有本發明的黑色微粒子。
    本發明的黑色遮光膜之特徵為：以本發明的黑色微粒子分散液塗布而成。
    本發明之附有黑色遮光膜基材之特徵為：在基材的一主面上備有本發明的黑色遮光膜。
    依照本發明第一項的黑色材料，由粒徑為1nm以上及200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子集合成的2次粒子構成，此2次粒子的粒徑在5nm以上及300nm以下，此2次粒子的最外層為含有50重量%以上選自金、白金、鈀、銀、釕、銅、矽、鈦、錫、鎳中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物所組成，可提高黑色材料本身的黑色度，也可提昇其光遮蔽性。
    尚且，使用這種黑色材料製作黑色塗膜時，無塗膜強度下降之虞，塗膜可長時期維持。
    再者，由於2次粒子的最外層由含有50重量%以上選自金、白金、鈀、銀、釕、銅、矽、鈦、錫、鎳中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物所構成，故環境負荷小且價廉。
    根據以上所述，可提供黑色度高、光遮蔽性優異，而且環境負荷小及價廉的黑色材料。
    依照本發明第二項的黑色微粒子分散液，因含有由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子所集合成的平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，與高分子分散劑，而可獲得中性黑色且遮光性高的黑色遮光膜或黑色裝飾膜。
    又，使用這種黑色微粒子分散液製作塗膜時，由於分散在黑色微粒子分散液的2次粒子本身之黑色度或遮光性均優，因可減少黑色微粒子量對應於塗膜中黏合劑的量，所以不會使塗膜強度下降，塗膜可長時期維持。
    根據以上所述，可提供黑色度高、遮光性優異，而且環境負荷小及價廉的黑色遮光膜或黑色裝飾膜。
    依照本發明第三項的黑色微粒子，在由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物形成微粒子之1次粒子，經集合為平均粒徑在5nm以上300nm以下成的2次粒子之表面上，被覆有絕緣膜之故，使其容易分散在溶劑中，可以提高黑色微粒子本身的黑色度，提高絕緣性。
    依照本發明的黑色微粒子分散液，由於含有本發明的黑色微粒子，故可提高黑色微粒子的分散性，提高塗布性。
    依照本發明的黑色遮光膜，由於是塗布本發明的黑色微粒子分散液而得，故即使在膜厚度較薄時，也可提高其遮光性及絕緣性。
    這種黑色遮光膜如果可適用於液晶顯示器等平面型顯示裝置上的黑色矩陣上，只要將膜厚度作薄薄即可使黑色矩陣與各畫素間的重疊變小，可減少各畫素的液晶單元間隙之色斑，而得均勻的畫素。所以顯示面上的色斑也不易發生，而可提高顯示面的品質。再者，可提高各畫素的開口率，進而提高顯示裝置的顯示面之整體亮度。實施的形態(其一)：
    首先說明有關本發明的第一項黑色材料之最佳形態。
    即，本形態是根據發明的意思以能充分獲得理解而作具體的說明，並未作特別指定的限制，也無侷限本發明。
    本實施形態的黑色材料，是由粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子經集合成的2次粒子所構成，此2次粒子的粒徑在5nm以上300nm以下，此2次粒子的最外層為含有50重量%以上選自金、白金、鈀、銀、釕、銅、矽、鈦、錫、鎳中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物而形成之黑色材料。
    此2次粒子的最外層只要含有50重量%以上選自金、白金、鈀、銀、釕、銅、矽、鈦、錫、鎳中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物即可，至於此最外層以外的部份之材料組成則無限定。
    此2次粒子是以在其內部中形成空間部形態者最佳，其次，是以在複數層所形成的外殼層之內側中形成空間部的形態，或者在以前述最外層或含有前述最外層的複數層所形成的外殼層被覆做為核物質的外表面而形成核殼狀之形態者較佳。
    其次，說明有關此黑色材料的截面形狀。
    此黑色材料可採用如下的各種結構。 (1)密結構
    第1圖為本實施形態的黑色材料之截面結構以模式表示的截面圖，在圖中，1為黑色材料，由粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物形成之1次粒子2集合後，成為粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子3，此2次粒子3的最外層是由含有50重量%以上選自金、白金、鈀、銀、釕、銅、矽、鈦、錫、鎳中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物的1次粒子之微粒子4所構成。此黑色材料1係由1次粒子2的緻密集合而呈在內部為無空間的緻密結構。 (2)中空結構(其一)
    第2圖為本實施形態的黑色材料之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色材料11與第1圖的黑色材料1相異之處，係在其2次粒子3的內部形成空間部12。 (3)中空結構(其二)
    第3圖為本實施形態的黑色材料之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色材料21與第1圖的黑色材料1相異之處，在於其僅由微粒子4形成緻密之外殼層22後，此外殼層22的內側有形成空間部23。
    此外殼層22在此雖然是僅由微粒子4所形成的一層，但也可構成二層以上的複數層結構。 (4)核殼結構
    第4圖為本實施形態的黑色材料之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色材料31與第1圖的黑色材料1相異之處，在於粒狀的核32之外表面為僅由微粒子4所形成的緻密外殼層22被覆而成。
    構成核32之物質，雖然並未作特別的限制，但以與構成外殼層22的微粒子4之密著性優異的物質為佳，例如，二氧化矽、二氧化鈦、二氧化鋯等較為適用。
    這些黑色材料1至31均可利用一般的微粒子合成法製作。就微粒子合成法而言，有氣相反應法、噴霧熱分解法、噴霧(atomize)法、液相反應法、冷凍乾燥法及水熱合成法等，使用任何一種方法均佳。
    依照本實施形態的黑色材料，由於是從粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子經集合成的2次粒子所組成，此2次粒子的粒徑在5nm以上300nm以下，因為此2次粒子的最外層為含有50重量%以上選自金、白金、鈀、銀、釕、銅、矽、鈦、錫、鎳中之一種或二種以上的元素或這些元素的氧化物，故可提高黑色度，也可提昇其光遮蔽性。 實施的形態(其二)：
    其次為本發明的第二項，說明有關黑色微粒子分散液與使用其之黑色遮光膜及附有該黑色遮光膜之基材的最佳形態。
    本實施形態的黑色微粒子分散液，是含有由粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子經集合成粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，與高分子分散液者。
    在此黑色微粒子分散液中，含有溶劑與因應必要時的有機黏合劑等。
    此種微粒子的元素並未特別限定，但以含有選自銀、錫、鎳之群組中的一種或二種以上者為佳。
    此2次粒子是以在其內部中形成空間部形態者為佳；其次，是以前述最外層或含該最外層的複數層所形成的外殼層在內側中形成空間部的形態，或形成核的物質外表面，藉由前述最外層或含有前述最外層的複數層形成的外殼層所被覆而形成核殼狀形態者為佳。再者，此2次粒子雖然1次粒子可以只隔著分散劑等集合而成的形態，也可以是不隔著分散劑等1次粒子相互間直接集合之形態，或可以是1次粒子間具有似頸狀(neck)接合的形態。
    其次，對於形成這種2次粒子的黑色微粒子之截面形狀，將藉用上述實施的形態(其一)說明第1至4圖說明。
    此黑色微粒子可採用如下的各種結構。 (1)密結構
    第1圖為本實施形態的黑色微粒子之截面結構以模式表示的截面圖，在圖中，符號1為黑色微粒子(黑色材料)，是由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子2集合成為2次粒子3，其平均粒徑在5nm以上300nm以下，由於此黑色微粒子1為1次粒子2緻密集合而成，故其內部除了粒子的間隙之外為無較大空間部的緻密結構。又，1次粒子2即使由一種金屬或金屬氧化物所構成，也可由二種以上金屬或金屬氧化物構成。又，此2次粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。 (2)中空結構(其一)
    第2圖為本實施形態的黑色微粒子之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色微粒子(黑色材料)11與第1圖的黑色微粒子1相異之處，在於其2次粒子3的內部形成空間部12。此2次粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。再者，此中空結構也可以不是完全的狀態，也可以是以孔洞(pore)將外部與空間部12連繫者，例如也可將第2圖的球狀的2次粒子切割成數個形狀。 (3)中空結構(其二)
    第3圖為本實施形態的黑色微粒子之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色微粒子(黑色材料)21與第2圖的黑色微粒子11相異之處，在於其僅由微粒子4形成外殼層22後，此外殼層22的內側為空間部23。
    此外殼層22在此雖然是僅由微粒子4所形成的一層，但也可以是由二層以上形成的複數層結構。此黑色微粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。再者，此中空結構也可以不是完全的狀態，也可以是以孔洞將外部與空間部23連繫者，例如也可將第3圖的球狀的黑色微粒子切割成數個形狀。 (4)核殼結構
    第4圖為本實施形態的黑色材料之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色微粒子(黑色材料)31與第1圖的黑色材料1相異之處，在於粒狀的核32之外表面僅由微粒子4所形成的外殼層22被覆而成。此外殼層22也可以不是完全的狀態，也可以是以孔洞將外部與核32連繫者。此黑色微粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。
    構成核32之物質，雖然並未作特別的限制，但以與構成外殼層22的微粒子4之密著性優異的物質為佳，例如，銀、錫、鎳、二氧化矽、二氧化鈦、二氧化鋯等較為適用。
    高分子分散劑因可提高微粒子表面的沾濕性，進而提高微粒子的分散性，其結果會使分散液的均勻性提昇，故以如聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone，PVP)、聚乙二醇(polyethyleneglycol)、聚丙烯醯胺(polyacrylamide)等為適用。
    此高分子分散劑之含有量對應於含在黑色分散液中的微粒子之全重量，以1重量%以上10重量%以下為佳，並以2重量%以上8重量%以下較佳，而在3重量%以上6重量%以下更佳。
    溶劑雖然並未作特別的限定，但可舉例如：水、甲醇、乙醇、正丙醇(n-propanol)、2-丙醇、丁醇等一價醇類，乙二醇等二價醇類，β-羥甲基醚(甲基溶纖劑)(β-oxylmethylether，methylcellosolve)、β-羥乙基醚(乙基溶纖劑)(β-oxyethylether，ethylcellosolve)、β-羥乙基丙基醚(丙基溶纖劑)(β-oxyethylpropylether，propylcellosolve)、丁基-β-羥乙基醚(丁基溶纖劑)(butyl-β-oxyethylether，butyl cellosolve)等乙二醇醚(溶纖劑)(ethylene glycol ether，Cellosolve)類，乙二醇(ethylene glycol)、丙二醇(propylene glycol)等二醇類，丙酮、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)、二乙基酮(diethyl ketone)等酮類，乙酸乙酯(ethyl acetate)、乙酸丁酯(butyl acetate)、乙酸苄酯(benzyl acetate)等酯類，甲氧基乙醇(methoxy ethanol)、乙氧基乙醇(ethoxy ethanol)等醚醇類，乙酸丙二醇單甲基醚酯(propylene glycol monomethyl ether acetate)等。
    本實施形態的黑色微粒子分散液中的黑色微粒子均可利用一般的微粒子合成法製作。就微粒子合成法而言，有氣相反應法、噴霧熱分解法、噴霧法、液相反應法、冷凍乾燥法及水熱合成法等，使用任何一種方法均佳。
    依照本實施形態的黑色微粒子分散液，因含有由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子集合成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，所以可提高其黑色度，也可提高其遮光性。
    因對應於在黑色微粒子分散液中所含有微粒子的全重量，高分子分散劑的含量在1重量%以上10重量%以下，故可得到良好的分散安定性與良好的黑色遮光性。
    又，因使用聚乙烯吡咯烷酮做為高分子分散劑，而可得到良好的分散安定性。由於此聚乙烯吡咯烷酮也可溶解於有機溶劑中，因使用聚乙烯吡咯烷酮做為高分子分散劑，可使微粒子分散在各種的溶劑中，其結果可應用在各種的塗料上。
    根據上述，可提供黑色度高、遮光性優異，且環境負荷小及可形成黑色遮光膜的價廉原料之黑色微粒子分散液。
    本實施形態的黑色遮光膜是由本實施形態的黑色微粒子分散液在基材上塗布後，再予乾燥即可得。
    此黑色遮光膜只要在基材的一主面形成，即可得到附有黑色遮光膜的基材。
    就基材而言，雖然並未特別限定，但可舉例如玻璃基材、塑膠基材(有機高分子基材)。又，其形狀可舉例如平板、薄膜狀、薄片(sheet)狀等。又，上述塑膠基材以塑膠薄片及塑膠薄膜等較為適當。
    至於玻璃基材，雖然並未特別限定，但可舉例如由鈉玻璃、鉀玻璃、無鹼玻璃等之中作適當選擇。
    就塑膠基材的材質而言，雖然並未特別限定，但可舉例如從醋酸纖維素酯(cellulose acetate)、聚苯乙烯(PS)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚(polyether)、聚醯亞胺(polyimide)、環氧樹脂(epoxy)、苯氧基(phenoxy)、聚碳酸酯(PC)、聚氟化亞乙烯、三乙醯纖維素(tri-acetylcellulose)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)等之中作適當的選擇。
    至於塗布方法是以通常使用的方法，例如以使用條狀塗布(bar coat)法、旋轉塗布(spin coat)法、噴塗(spray coat)法、噴墨(ink jet)法、浸塗(dip-coating)法、滾塗(roll coat)法及網版印刷(screen)法較為適當。
    由於塗布在基材上的分散液中含有溶劑，可藉由隨後的乾燥過程去除溶劑。
    例如，經分散液塗布過的基材置於室溫(25℃)下的大氣中，或訂定的溫度下，例如在大氣中經50至80℃的溫度加熱，使在分散液中所含的溶劑散逸，即可得黑色遮光膜。
    前述的黑色遮光膜根據CIE(國際照明委員會)的規格，以CIE明度L＊在10以下、色度a＊為-1以上1以下、色度b＊為-1以上1以下，而光學濃度的OD值在3以上者為佳。
    CIE明度L＊越低則黑色遮光膜的黑色度越高，做為黑色矩陣時可提高其顯示對比。由於不論色度a＊、色度b＊之值為正(+)或為負(-)，數值大者均會帶有色相，故以接近0值亦即黑色遮光膜不具色彩者為顯示品質較佳。OD值較低時，因能得到充分的遮光性，就會增加黑色遮光膜的厚度，尤其是將黑色遮光膜做為黑色矩陣時，因黑色遮光膜的膜厚變厚時，會發生顯示顏色深淺不勻的問題。 實施的形態(其三)：
    其次為本發明的第三項，說明有關黑色微粒子、黑色微粒子分散液與黑色遮光膜及附有該黑色遮光膜之基材的最佳形態。
    本實施形態的黑色微粒子，由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子經集合成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，此2次粒子的表面上被覆有絕緣膜。
    此微粒子的元素並未特別限定，但以含有選自銀、錫、鎳之群組中的一種或二種以上者為佳。
    此2次粒子是以在其內部中形成空間部形態者為佳；其次，是在以最外層或含該最外層的複數層所形成的外殼層之內側中形成空間部的形態，或形成核的物質之外表面，以前述最外層或含有前述最外層的複數層形成的外殼層所被覆而形成核殼狀形態者為佳。再者，此2次粒子雖然1次粒子只是隔著分散劑等而集合成的形態，但也可以是不隔著分散劑等1次粒子相互間直接集合之形態，或也可以是1次粒子間有似頸狀(neck)的接合形態。
    為本黑色微粒子構成要素的微粒子，可以利用通常的微粒子合成法製作。就微粒子合成法而言，有氣相反應法、噴霧熱分解法、噴霧法、液相反應法、冷凍乾燥法及水熱合成法等，使用任何一種方法均佳。
    絕緣膜因是由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子經集合成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，使其表面絕緣化而成的高絕緣性微粒子，故以金屬氧化物或有機高分子化合物最為適合。
    就金屬氧化物而言，具有絕緣性的金屬氧化物，例如以氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化釔、氧化鈦等較為適用。
    至於有機高分子化合物，具有絕緣性的樹脂例如以聚醯亞胺、聚醚、聚丙烯酸酯、聚胺(polyamine)化合物等較為適用。
    絕緣膜的厚度為了能使上述微粒子表面維持充分的絕緣性，以1至100nm厚度為佳，以5至50nm更好。
    此絕緣膜可藉由表面改質技術或表面塗布技術而容易形成。尤其使用四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane)、三乙氧基化鋁(aluminum triethoxide)等的烷氧化物(alkoxide)時，以在比較低溫下形成膜厚均勻的絕緣膜為佳。
    其次，說明有關本實施形態的黑色微粒子之截面形狀。
    本黑色微粒子可採用如下的各種結構。 (1)密結構
    第5圖為本實施形態的黑色微粒子之截面形狀以模式表示的截面圖，圖中的符號1為黑色微粒子，是由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成之1次粒子2集合，形成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子3，由於此黑色微粒子1是因1次粒子2緻密集合而成，故其內部除了粒子的間隙之外是無較大空間部的緻密結構，再者，2次粒子3的表面為絕緣膜5所被覆。又，1次粒子2可由一種金屬或金屬氧化物所構成，也可由二種以上的金屬或金屬氧化物所構成。此2次粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。 (2)中空結構(其一)
    第6圖為本實施形態的黑色微粒子之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色微粒子11與第1圖的黑色微粒子1相異之處，在於其2次粒子3的內部形成空間部12。此黑色微粒子11也在其2次粒子3的表面上為絕緣膜5所被覆。此2次粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。再者，此中空結構也可以是不完全的狀態，也可以是以孔洞將外部與空間部12連繫者，例如也可將第2圖的球狀2次粒子切割成數個形狀。 (3)中空結構(其二)
    第7圖為本實施形態的黑色微粒子之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色微粒子21與第2圖的黑色微粒子11相異之處，在於其僅由微粒子4構成外殼層22後，此外殼層22的內側為空間部23。此黑色微粒子21也在其2次粒子3的表面上為絕緣膜5所被覆。
    此外殼層22在此雖然是微粒子4所形成的一層，但也可由二層以上的複數層所構成。此黑色微粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。再者，此中空結構也可以是不完全的狀態，也可以是以孔洞將外部與空間部23連繫者，例如也可將第3圖的球狀黑色微粒子切割成數個形狀。 (4)核殼結構
    第8圖為本實施形態的黑色微粒子之截面結構的其他例以模式表示的截面圖，此黑色微粒子31與第1圖的黑色材料1相異之處，在於粒狀的核32之外表面僅由微粒子4所形成的外殼層22被覆而成。此黑色微粒子31也在其2次粒子3的表面上為絕緣膜5所被覆。又，本外殼層22也可以是不完整的狀態，也可以是以孔洞將外部與的核32連繫者。此黑色微粒子的形狀並無特別的限制，無論是球狀、不定形、板狀等種種的形狀物都可使用。
    構成核32之物質，雖然並未作特別的限制，但以與構成外殼層22的微粒子4之密著性優異的物質為佳，例如，銀、錫、鎳、二氧化矽、二氧化鈦、二氧化鋯等較為適用。
    本實施形態的黑色微粒子黑色微粒子是由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子經集合形成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，因其表面為絕緣膜所被覆，故與銀粒子或錫粒子相比，黑色度較高，遮光性提高，也可增高絕緣性。
    又，由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子，經集合形成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，因其表面為金屬氧化物形成的絕緣膜所被覆，故與銀粒子或錫粒子等的金屬微粒子相比，可使其耐熱性優異，而且可提高機械強度，不容易摩耗。
    本實施形態的黑色微粒子分散液，由於含有本實施形態的黑色微粒子，故在此黑色微粒子分散液中，含有溶劑與因應必要時的有機黏合劑等。
    至於溶劑雖然並無特別的限定，例如可使用如上述實施形態(其二)中所例示的同樣溶劑。
    本實施形態的黑色微粒子分散液由於含有由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或金屬氧化物所形成微粒子之1次粒子經集合形成平均粒徑在5nm以上300nm以下的2次粒子，而其表面為絕緣膜所被覆的黑色微粒子，故可提供黑色度高、遮光性及絕緣性優異，且可為黑色遮光膜的廉價原料之黑色微粒子分散液。
    又，因使用聚乙烯吡咯烷酮做為高分子分散劑，而可得到更為良好的分散安定性。由於此聚乙烯吡咯烷酮也可溶於有機溶劑中，使用聚乙烯吡咯烷酮為高分子分散劑時，可使微粒子分散在各種溶劑中，其結果可應用到各種的塗料上。
    依據上述，可提供黑色度高、遮光性優異，且環境負荷小，又可為黑色遮光膜的廉價原料之黑色微粒子分散液。
    本實施形態的黑色遮光膜是由本實施形態的黑色微粒子分散液塗布在基材上後，再予乾燥而得。
    此黑色遮光膜只要在基材的一主面形成，即可得到附有黑色遮光膜的基材。
    就基材而言，雖然並未特別限定，但可舉例如玻璃基材、塑膠基材(有機高分子基材)。其形狀可舉例如平板、薄膜狀、薄片狀等。再者，上述塑膠基材以塑膠薄片及塑膠薄膜等較為適當。
    對於玻璃基材及塑膠基材的材質，雖然並未特別限定，但可使用例如上述實施形態(其二)中所例示同樣的玻璃基材及塑膠基材的材質。
    至於塗布方法是以通常使用的方法，例如以使用條狀塗布法、旋轉塗布法、噴塗法、噴墨法、浸塗法、滾塗法及網版印刷法較為適當。
    由於塗布在基材上的分散液中含有溶劑，可經隨後的乾燥過程去除溶劑。
    例如，將分散液塗布過的基材置於室溫(25℃)的大氣中，或訂定的溫度下，例如在大氣中經50至80℃的溫度下加熱，使分散液所含的溶劑散逸，即可得黑色遮光膜。
    當此黑色遮光膜使用為液晶顯示器(LCD)等的顯示裝置之黑色矩陣時，因具有高絕緣性而令人滿意，例如其體積電阻(Ω．cm)在107Ω．cm以上為理想的範圍。
    再者，根據CIE(國際照明委員會)的規格，以CIE明度L＊在10以下、色度a＊為-1以上1以下、色度b＊為-1以上1以下，光學濃度的OD值在3以上者為理想的範圍。
    CIE明度L＊越低則越可提高黑色度，尤其做為液晶顯示器(LCD)等的顯示裝置之黑色矩陣時，越低則越可提高顯示對比。因此，為得較良好顯示對比的範圍則以10以下為理想範圍。
    色度a＊、b＊以不具色彩者顯示品質較佳，由於其絕對值大於1則會帶有色相，故以絕對值小於1會呈無彩色者為理想的範圍，即在-1以上且1以下。
    OD值低時則不能得到充分的遮光性，再者，要以低OD值的膜得到充分的遮光性，就必須增加黑色遮光膜的厚度，尤其做為液晶顯示器(LCD)等的黑色矩陣時，因黑色遮光膜變厚而容易發生顯示顏色深淺不勻的問題。因此，即使在膜厚較薄時，以其值在3以上可得到充分的遮光性。 [實施例]
    以下為有關本發明的實施形態(其一)，雖然可依照實施例1至6及比較例1至3作更為具體的說明，但本發明的範圍並不侷限於這些實施例。 (實施例1)
    取10g的錫膠體(平均粒子徑：90nm、固形分：30重量%，住友大阪水泥公司製)後，加入純水可得全容量為300ml的A液。秤取1.5g的硝酸銀及33g的硫代硫酸鈉(sodium thiosulfate)並混合後，加入純水使成水溶液，在此水溶液中添加5ml的濃氨水(NH3：28%)，再加入純水得到全容量為100ml的B液。
    接著，利用磁攪拌器(magnetic stirrer)將這些A液與B液混合10分鐘後，再以離心分離進行洗淨，即得有15%固形分的C液。
    由透過型電子顯微鏡(TEM)觀察此C液中的粒子形狀時，是呈現粒徑50至90nm的粒子表面上為粒徑10至30nm的粒子所覆蓋的形狀。
    再以過濾法分離C液中的粒子後，使其乾燥後製作成實施例1的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第9圖所示為實施例1的粉末試料之粉末X線繞射圖形，圖中有○記號者為錫(Sn)的繞射曲線、△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    依照此粉末X線繞射圖形時由上述合成步驟，而瞭解C液中的粒子是在形成核的錫粒子表面上以銀錫合金微粒子被覆而成的核殼結構。
    其次，在此C液中添加PVA水溶液，使C液中的固形分與PVA的體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為塗布液。
    接著，以旋轉塗布(spin coat)法將此塗布液塗布在厚度為1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中的水量調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將此黑色塗膜置於室溫(25℃)下乾燥後，以膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定其膜厚度，再以分光光譜儀(spectrometer)測定黑色膜本體對應於550 nm波長的光穿透率。
    又，為評估此黑色膜之黑色度，即以CIE(國際照明委員會)規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據，測定此黑色膜的CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (實施例2)
    在實施例1所得的C液中加入純水稀釋成10倍後，再加100g的酒石酸水溶液(酒石酸：5%)於此稀釋液中攪拌10分鐘後，接著以離心分離洗淨，即得含15%固形分的D液。
    以透過型電子顯微鏡(TEM)觀察此D液中的粒子時，可知是呈現粒徑50至90nm在內部存有許多中空狀的粒子所形成的空間部。此中空粒子係由粒徑10至30nm的粒子集合成的形狀。
    再以過濾法分離D液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例2的粉末試料，以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第10圖所示為實施2的粉末試料之粉末X線繞射圖形，圖中有○記號者為錫(Sn)的繞射曲線、△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    根據上述，可知D液中的粒子是由銀錫合金所構成的中空粒子。
    其次，在此D液中添加PVA水溶液，使D液中的固形分與PVA之體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為塗布液。
    接著，以旋轉塗布法將此塗布液塗布在厚度1.1 mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將此黑色塗膜置於室溫(25℃)下乾燥後，以膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定其膜厚度，再以分光光譜儀(spectrometer)測定黑色膜本體對應於550 nm波長的光穿透率。
    又，以CIE規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據，測定此黑色膜的CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (實施例3)
    在實施例2所得的D液加入純水稀釋成10倍後，利用砂磨(sand mill)將此稀釋液中進行5分鐘的分散處理後，即得含15%固形分的E液。
    由透過型電子顯微鏡(TEM)的觀察此E液中的粒子形狀時，可知是粒徑10至30nm的粒子集合成粒徑為50至150nm粒子之形狀。
    再以過濾法分離E液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例3的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定位此粉末試料中的生成相。
    第11圖所示為實施3的粉末試料之X線繞射圖形，圖中有△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    根據上述，可知E液中的粒子是由銀錫合金微粒子集合成的粒子。
    其次，在此E液中添加PVA水溶液，使E液中的固形分與PVA之體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為塗布液。
    接著，以旋轉塗布法將此塗布液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將此黑色塗膜置於室溫(25℃)下乾燥後，以膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定其膜厚度，再以分光光譜儀測定黑色膜本體對應於550 nm波長的光穿透率。
    又，以CIE規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據而測定此黑色膜的CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (實施例4)
    在2.3g的葡萄醣、0.2g克的酒石酸與4g的酒精中加水，得全重量為50g的F液。又，在1.5g的硝酸銀中加入5ml的濃氨水(NH3：28%)，再加入純水，可得全重量為50g的G液。
    其次將這些F液與G液混合後，將此混合液加入實施例1中所使用的A液中，並在攪拌此溶液的同時，徐徐的滴入0.05N的氫氧化鈉水溶液10g。接著，利用磁攪拌器攪拌此溶液10分鐘後，再以離心分離洗淨之，即得有15%固形分的H液。
    由透過型電子顯微鏡(TEM)觀察此H液中的粒子形狀時，是呈現粒徑80至100nm的表面光滑的粒子。
    再以過濾法分離H液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例4的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第12圖所示為實施4的粉末試料之X線繞射圖形，圖中有○記號者為錫的繞射曲線、△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    根據上述，可知H液中的粒子表面是由銀及銀錫合金的緻密層所構成。
    其次，在此H液中添加PVA水溶液，使H液中的固形分與PVA的體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為塗布液。
    接著，以旋轉塗布法將此塗布液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將此黑色塗膜置於室溫(25℃)下乾燥後，由膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定其膜厚度，再以分光光譜儀測定黑色膜自體對應於550 nm波長的光穿透率。
    又，以CIE規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據，測定此黑色膜的CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (實施例5)
    將實施例4所得的H液中加入純水稀釋10倍後，再加100g的酒石酸水溶液(酒石酸：5%)於此稀釋液中攪拌10分鐘後，接著以離心分離洗淨，即得含15%固形分的I液。
    此I液中的粒子形狀經透過型電子顯微鏡(TEM)的觀察時，可知存在有許多粒徑為80至100nm的中空狀粒子，而此中空狀的粒子是形成緻密的外殼層。
    再以過濾法分離I液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例5的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第13圖所示為實施5的粉末試料之X線繞射圖形，圖中有○記號者為錫的繞射曲線、△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    根據上述，可知在I液中之緻密外殼層所形成的中空狀粒子是由銀錫合金所構成。
    其次，在此I液中添加PVA水溶液，使I液中的固形分與PVA之體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為塗布液。
    接著，以旋轉塗布法將此塗布液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將此黑色塗膜置於室溫(25℃)下乾燥後，以膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定其膜厚度，再以分光光譜儀測定黑色膜自體對應於550 nm波長的光穿透率。
    又，此黑色膜的CIE明度L＊即以CIE規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據而測定。這些測定結果如表1所示。 (實施例6)
    將1.19g的氯化鎳粉末(NiCl2．6H2O)與100g的氯化錫粉末(SnCl2．2H2O)溶解於純水中並形成全量為1公升(L)的氯化錫水溶液，取33.8ml溶解在100mL純水中，在此溶液中再加入9.9g焦磷酸鉀(tetrapotassium pyrophoate)粉末、7.5g酒石酸及0.82g甘胺酸(glycine)，並攪拌10分鐘。
    之後，在此溶液中加入1%的聚乙烯吡咯烷酮5g，再滴入5N的氫氧化鈉水溶液，以調整此溶液的pH值為8.5。
    接著，以此溶液維持在55℃的狀態下，將1.1g的硼氫化鈉(sodium borohydride)溶解於50g的純水中所得到的溶液一口氣投入後，攪拌一小時。之後，再以離心分離洗淨，即得有10%固形分的J液。
    由透過型電子顯微鏡(TEM)觀察此J液中的粒子形狀時，可知粒徑為1至10nm的粒子如同覆在粒徑為20至30nm的粒子表面般附著在其上，並形成粒徑在30至50nm的2次粒子。
    再以過濾法分離J液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例6的粉末試料後，利用電子探針微分析儀EPMA(electronic probe microanalizer)進行此粉末試料的元素分析時，可檢測出鎳、錫及微量的硼。
    利用以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相時，可檢測出鎳及錫的繞射曲線。
    依照此粉末X線繞射圖形與上述的合成步驟，而瞭解J液中的粒子是在形成核的鎳粒子表面上，被錫微粒子被覆而成的核殼結構。
    其次，在此J液中添加PVA水溶液，使J液中的固形分與PVA的體積比為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為塗布液。
    接著，以旋轉塗布法將此塗布液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將此黑色塗膜置於室溫(25℃)下乾燥後，以膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定其膜厚度，再以分光光譜儀測定黑色膜本體對應於550 nm波長的光穿透率。
    又，為評估此黑色膜之黑色度，即以CIE(國際照明委員會)所規範的L＊、a＊、b＊表色系為依據，測定此黑色膜的CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (比較例1)
    如同與實施例1，在碳黑(HA3，東海碳黑公司製)中添加PVA水溶液，使碳黑與PVA的體積成為50：50，再進行如同實施例1的分散處理、調整塗布液中的水量、塗布在玻璃基板上，並製作成厚度為0.5μm的黑色塗膜。
    其次，如同實施例1，進行此黑色膜的乾燥、膜厚測定、光穿透率測定及CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (比較例2)
    如同實施例1，在鈦黑(13M，Jemco公司製)中添加PVA水溶液，使鈦黑與PVA的體積比成為50：50，再進行如同實施例1的分散處理、調整塗布液中的水量、塗布在玻璃基板上，並製作成厚度為0.5μm的黑色塗膜。
    其次，如同實施例1，進行此黑色膜的乾燥、膜厚測定、光穿透率測定及CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。 (比較例3)
    如同實施例1，在銀奈米粒子(住友大阪水泥公司製)中添加PVA水溶液，使銀奈米粒子與PVA的體積比成為50：50，再進行與實施例1同樣的分散處理、調整塗布液中的水量、塗布在玻璃基板上，並製作成厚度為0.5μm的黑色塗膜。
    其次，如同實施例1，進行此黑色膜的乾燥、膜厚測定、光穿透率測定及CIE明度L＊。這些測定結果如表1所示。
    根據表1，可確認實施例1至6的黑色膜對應於比較例1至3的光穿透率較低、CIE明度L＊也較為優異，而遮光性及黑色度均較優。
    另一方面，可知比較例1、2的黑色膜之光穿透率高，對應於實施例1至5的黑色膜之遮光性較差。
    又，比較例3的黑色膜雖然可得到與實施例1至6幾乎同樣的遮光性，但有膜色呈灰色的色調問題。
    接著，關於本發明的實施形態(其二)，可由實施例7至10及比較例4至6具體說明本發明，但本發明的範圍並不侷限於此等實施例而已。 (實施例7)
    取出20g的錫膠體(粒徑為20至80nm、平均粒徑：30nm、固形分：15重量%，住友大阪水泥公司製)，加入溶有0.15g聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(k15：東京化成工業社製)的純水中，得全容量300ml的A液。
    秤取1.5g的硝酸銀及33g的硫代硫酸鈉並混合，加入純水使成水溶液後，再在此水溶液中加入5mL的濃氨水(NH3：28%)，再加入純水可得全容量為100mL的B液。
    接著，利用磁攪拌器將這些A液與B液混合10分鐘後，再以離心分離進行洗淨，即得有15%固形分的C液。
    其次，在此C液中添加PVA水溶液，使C液中的固形分與PVA的體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為黑色微粒子分散液。
    接著，以旋轉塗布法將此黑色微粒子分散液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由分散液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即可得附有黑色遮光的玻璃基板。
    接著，以膜厚測定儀Tencor(Tencor公司)測定此黑色遮光膜的厚度。
    其次，測定此附有黑色遮光膜的玻璃基板之光穿透率。在此是以分光光譜儀測定黑色遮光膜本身對應於550 nm波長光的光穿透率。
    又，為評估此黑色遮光膜之黑色度，即以CIE(國際照明委員會)規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據，測定此黑色遮光膜的CIE明度L＊。
    再利用透過濃度計，測定此黑色遮光膜的光學濃度OD值。這些測定結果如表2所示。
    由透過型電子顯微鏡(TEM)觀察上述C液中的粒子形狀時，是呈現平均粒徑在20至80nm的粒子表面上被平均粒徑在5至30nm的粒子所覆蓋的形狀。
    再以過濾法分離上述C液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例7的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第9圖所示為實施例7的粉末試料之粉末X線繞射圖形，圖中有○記號者為錫的繞射曲線、△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    依照上述，即瞭解C液中的粒子是在形成核的錫粒子表面上被覆有銀．錫合金微粒子而成的核殼結構。 (實施例8)
    將實施例7所得的C液加入純水稀釋成10倍後，加入100g的鹽酸水溶液(鹽酸：4.5%)於此稀釋溶液中，並攪拌10分鐘後，再以離心分離進行洗淨，即得有15%固形分的D液。
    其次，在此D液中添加PVA水溶液，使D液中的固形分與PVA的體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為黑色微粒子分散液。
    接著，以旋轉塗布法將此黑色微粒子分散液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由分散液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即可得附有黑色遮光膜的玻璃基板。
    接著，依照與實施例7同樣的方法，進行黑色遮光膜的膜厚、光穿透率的測定、CIE明度L＊、色度a＊、b＊的測定及OD值的測定。這些測定結果如表2所示。
    再由透過型電子顯微鏡(TEM)觀察上述D液中的粒子形狀時，可知是呈現平均粒徑為20至80nm在內部存在有許多由完整中空狀的粒子所形成的空間部。同時中空狀的粒子有部分欠缺，也有分割成數個的粒子而存在者。此中空粒子係由平均粒徑5至30nm的1次粒子集合成的2次粒子。
    再以過濾法分離上述D液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例8的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第10圖所示為實施例8的粉末試料之粉末X線繞射圖形，圖中有○記號者為錫的繞射曲線、△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    依照上述，即瞭解D液中的粒子是由銀錫合金所構成的中空粒子，及有部分欠缺的中空粒子，或有分割成數個的粒子者。 (實施例9)
    在實施例8所得的D液加入純水稀釋成10倍後，以砂磨將此稀釋液進行5分鐘的分散處理後，即得含15%固形分的E液。
    其次，在此E液中添加PVA水溶液，使E液中的固形分與PVA之體積比成為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為黑色微粒子分散液。
    接著，以旋轉塗布法將此黑色微粒子分散液塗布在厚度1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由分散液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即得附有黑色遮光膜的玻璃基板。
    接著，依照與實施例7同樣的方法，進行黑色遮光膜的膜厚、光穿透率的測定、CIE明度L＊、色度a＊、b＊的測定及OD值的測定。這些測定結果如表2所示。
    由透過型電子顯微鏡(TEM)的觀察此E液中的粒子的形狀時，可知是由平均粒徑5至30nm的粒子集合形成平均粒徑在30至150nm之2次粒子。
    再以過濾法分離E液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例9的粉末試料，並以X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相。
    第11圖所示為實施例9的粉末試料之X線繞射圖形，圖中有△記號者為Ag4Sn合金相或Ag3Sn合金相的繞射曲線。
    根據上述，可知E液中的粒子是由銀錫合金微粒子集合成的粒子。 (實施例10)
    將1.19g的氯化鎳粉末(NiCl2．6H2O)與100g的氯化錫粉末(SnCl2．2H2O)溶解於純水中並形成全量為1公升(L)的氯化錫水溶液，取33.8 mL溶解在100mL純水中，在此溶液中再加入9.9g焦磷酸鉀粉末、7.5g酒石酸及0.82g甘胺酸，並攪拌10分鐘。
    之後，在此溶液中加入1%的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)水溶液5.0g，再滴入5N的氫氧化鈉水溶液，以調整此溶液的pH值為8.5。
    接著，以此溶液維持在55℃的狀態下，將1.1g的硼氫化鈉溶解於50g的純水中所得到的溶液一口氣投入後，攪拌一小時，之後再以離心分離洗淨，即得有10%固形分的F液。
    其次，在此F液中添加PVA水溶液，使F液中的固形分與PVA的體積比為50：50，以超音波分散機(Sonifire-450：BRANSON ULTRASONICS公司製)分散處理後，靜置一小時後即成為黑色微粒子分散液。
    接著，以旋轉塗布法將此黑色微粒子分散液塗布在厚度為1.1mm的玻璃基板上，即得黑色的塗膜。在此，經由塗布液中水量的調整，使塗膜的厚度達0.5μm。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即得附有黑色遮光膜的玻璃基板。
    接著，依照與實施例7同樣的方法，進行黑色遮光膜的膜厚、光穿透率的測定、CIE明度L＊、色度a＊、b＊的測定及OD值的測定。這些測定結果如表2所示。
    再由透過型電子顯微鏡(TEM)觀察此F液中的粒子形狀時，可知平均粒徑1至10nm的粒子係以覆蓋在平均粒徑為20至30nm的粒子表面之方式附著在其上，並形成為平均粒徑在30至50nm的2次粒子。
    再以過濾法分離F液中的粒子後，使乾燥後製作成實施例10的粉末試料後，利用電子探針微分析儀(EPMA)進行此粉末試料的元素分析時，可檢測出鎳、錫及微量的硼。
    利用X線繞射儀鑑定此粉末試料中的生成相時，可檢測出鎳及錫的繞射曲線。
    由此結果，瞭解F液中的粒子是在形成核的鎳粒子表面上以錫微粒子被覆而成的核殼結構。 (比較例4)
    如同實施例7，在碳黑(HA3，東海碳黑公司製)中添加PVA水溶液，使碳黑與PVA的體積比成為50：50，再進行與實施例7同樣的分散處理、調整分散液中的水量、以旋轉塗布法塗布在玻璃基板上，並製作成厚度為0.5μm的黑色塗膜。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即得附有黑色遮光膜的玻璃基板。
    接著，依照與實施例7同樣的方法，進行黑色遮光膜的膜厚、光穿透率的測定、CIE明度L＊、色度a＊、b＊的測定及OD值的測定。這些測定結果如表2所示。 (比較例5)
    如同實施例7，在鈦黑(13M，Jemco公司製)中添加PVA水溶液，使鈦黑與PVA的體積比成為50：50，再進行與實施例7同樣的分散處理、調整分散液中的水量，以旋轉塗布法塗布在玻璃基板上，並製作成厚度為0.5μm的黑色塗膜。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即得附有黑色遮光膜的玻璃基板。
    接著，依照與實施例7同樣的方法，進行黑色遮光膜的膜厚、光穿透率的測定、CIE明度L＊、色度a＊、b＊的測定及OD值的測定。這些測定結果如表2所示。 (比較例6)
    如同實施例7，在銀奈米粒子(住友大阪水泥公司製)中添加PVA水溶液，使銀奈米粒子與PVA的體積比成為50：50，再進行與實施例7同樣的分散處理、調整分散液中的水量，以旋轉塗布法塗布在玻璃基板上，並製作成厚度為0.5μm的黑色塗膜。
    其次，將附有此塗膜的玻璃基板置於室溫(25℃)中乾燥後，即得附有黑色遮光膜的玻璃基板。
    接著，依照與實施例7同樣的方法，進行黑色遮光膜的膜厚、光穿透率的測定、CIE明度L＊、色度a＊、b＊的測定及OD值的測定。這些測定結果如表2所示。
    根據表2，由於實施例7至10的黑色遮光膜對應於比較例4至6的光穿透率是較低、CIE明度L＊也較低，由於色度a＊、b＊的絕對值也較小，故可確認其遮光性及黑色度均較優。
    另一方面，可知比較例4、5的黑色遮光膜之光穿透率高，對應於實施例7至10的黑色遮光膜之遮光性則較差。
    又，雖然比較例6的黑色遮光膜可得到與實施例7至10幾乎同樣的遮光性，但有膜色呈灰色的色調問題。
    接著，關於本發明的實施形態(其三)，可藉由實施例11至12及比較例7至9更具體的說明本發明，但本發明的範圍並不侷限定於這些實施例。 「黑色微粒子的調製」
    依下述調製成黑色微粒子。 (1)二氧化矽塗布(silica coating)銀錫合金集合粒子A
    集合平均粒徑5至20nm的1次粒子而形成平均粒徑20至150nm之2次粒子，再形成黑色銀錫合金集合粒子的水分散液(固形分濃度15重量%，住友大阪水泥公司製)100g，以純水稀釋成10倍的溶液後，加入0.1重量%的3-胺基丙基三甲氧基矽烷(3-amino propyl tri methoxysilane，APS)水溶液750g並攪拌之，即成為A液。
    另一方面，將經水稀釋之水玻璃溶液(換算成二氧化矽為3%)100g，使用陽離子交換樹脂調製成pH為10.5的B液。
    接著，將上述的A液以氫氧化鈉水溶液(0.1N)調整其pH為9.5後，在A液中徐徐滴入B液，之後攪拌一小時。其次，利用超過濾(ultrafiltration)去除溶液中未反應的水玻璃、APS與離子等後，再予濃縮即得分散液。
    接著，將此分散液經過離心分離、冷凍乾燥(freeze dry)等，使溶液與微粒子分離後，經乾燥即可得二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子A。 (2)二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子B
    集合平均粒徑5至20nm的1次粒子而形成平均粒徑20至150nm之2次粒子，再形成黑色銀錫合金集合粒子的水分散液(固形分濃度15重量%，住友大阪水泥公司製)100g，以純水稀釋成10倍的溶液後，加入醋酸以調整其pH為4.8。
    其次，在此溶液中滴入含有1重量%的四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane)水溶液200g後，於60℃下攪拌二小時。接著利用超過濾以去除此溶液中未反應的四乙氧基矽烷、醋酸等後，使其濃縮即可得分散液。
    再將此分散液經過離心分離、冷凍乾燥等，使溶液與微粒子分離後，經乾燥即可得二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子B。 「黑色微粒子分散液及黑色遮光膜的製作」(實施例11)
    在100g的二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子A中，加入2g的分散劑(Solsparse24000：Apsia公司製)、丙二醇單甲基醚．乙酸酯(propylene glycol monomethylether acetate)，利用玻璃珠磨(beads mill)使其分散，即得二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子分散液。在此分散液中，加入由64重量份的甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸(benzyl methacrylate/methacrylic acid)共聚合物、26重量份的二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)及9重量部分的IRAG Cure 907(907)所組成的黏合劑50g，混合後即得塗布液。以旋轉塗布法將此塗布液塗布在玻璃基板上，於室溫(25℃)下乾燥後，經紫外線(UV)的照射即形成厚度為0.6μm的黑色膜。 (實施例12)
    除了將實施例11中所用的二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子A替換成二氧化矽塗布銀錫合金集合粒子B之外，其餘即以實施例11同樣的方式形成實施例12的黑色膜。 (比較例7)
    除了使用未作二氧化矽塗布的銀錫合金集合粒子之外，其餘即以實施例11同樣的方式形成黑色膜。 (比較例8)
    除了使用以二氧化矽塗布的碳黑之外，其餘即以實施例11同樣的方式形成黑色膜。 (比較例9)
    除了使用以二氧化矽塗布的鈦黑之外，其餘即以實施例11同樣的方式形成黑色膜。 「黑色膜的評估」
    分別測定實施例11至12及比較例7至9黑色膜的體積電阻。該測定是依據日本工業規格JIS C2103-1991「體積電阻率試驗」，以四端子法進行測定。
    又，使用透過濃度計測定此黑色膜的光學濃度OD值。
    再者，為評估此黑色遮光膜之黑色度，即以CIE(國際照明委員會)規格的L＊、a＊、b＊表色系為依據，而測定CIE明度L＊、色度a＊、b＊。
    這些測定結果如表3所示。
    根據表3，由於實施例11、12的黑色膜之體積電阻值比1010Ω cm大，OD值在4以上、CIE明度L＊也低、色度a＊、b＊的絕對值亦小，故可確認其絕緣性、遮光性及黑色度均優。
    另一方面，比較例7的黑色膜雖然OD值在4以上、CIE明度L＊也低、色度a＊、b＊的絕對值亦小，但因其體積電阻低只有1.2×106，故其絕緣性較低。
    又，比較例8、9的黑色膜雖然體積電阻大於1010Ω cm，但因CIE明度L＊高，OD值較小在2左右、色度a＊、b＊的絕對值大於1，而可知其對應於實施例11、12的黑色膜之黑色度與遮光性均較差。 [產業上利用的可能性]
    本發明第一項的黑色材料，因其黑色度、遮光性均優，且又價廉，可適用作為對黑色度或遮光性、或黑色度及遮光性有所要求之物體上。例如，可利用為黑色遮蔽光性薄膜、黑色遮蔽光性玻璃、黑色紙、黑色布、黑色油墨、電漿顯示器(plasma display，PDP)或液晶顯示器(LCD)等的顯示裝置用的黑色矩陣材料、黑色密封(seal)材、黑色遮蔽(black mask)等。
    本發明第二項的黑色微粒子分散液，其黑色度、遮光性及耐熱性均優異，而且又可做為價廉的黑色遮光膜的材料，因此可適用為對黑色度、遮光性及耐熱性或遮光性有所要求的物體上。例如，可做為黑色遮蔽光性薄膜、黑色遮蔽光性玻璃、黑色紙、黑色布、黑色油墨、電漿顯示器(plasma display，PDP)或液晶顯示器(LCD)等的顯示裝置用的黑色矩陣材料、黑色密封材料、黑色遮蔽材料等。
    本發明第三項的黑色微粒子，其黑色度、遮光性及絕緣性均優，而且又可做為廉價的黑色遮光膜之材料，因此可適用為對黑色度、遮光性及絕緣性有所要求的物體上。例如，可利用為液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器(PDP)、電子發光顯示器(electroluminescence display，ELD)、電子彩色顯示器(electrochromic display，ECD)等顯示裝置用的黑色矩陣材料、黑色密封材料、黑色遮蔽材料等之外，也可利用為黑色遮蔽光性薄膜、黑色遮蔽光性玻璃、黑色紙、黑色布、黑色油墨等。
    1、11、21、31‧‧‧黑色材料
    2‧‧‧1次粒子
    3‧‧‧2次粒子
    4‧‧‧微粒子
    5‧‧‧絕緣膜
    12、23‧‧‧空間部
    22‧‧‧緻密的外殼層
    32‧‧‧粒子狀的核
    第1圖表示本發明的實施形態(其一)的黑色材料、實施形態(其二)的黑色微粒子之截面結構模式圖。
    第2圖表示本發明的實施形態(其一)的黑色材料、實施形態(其二)的黑色微粒子之截面結構的其他例模式圖。
    第3圖表示本發明的實施形態(其一)的黑色材料、實施形態(其二)的黑色微粒子之截面結構的其他例模式圖。
    第4圖表示本發明的實施形態(其一)的黑色材料、實施形態(其二)的黑色微粒子之截面結構的其他例模式圖。
    第5圖表示本發明的實施形態(其三)的黑色微粒子之截面結構之模式圖。
    第6圖表示本發明的實施形態(其三)的黑色微粒子之截面結構的其他例模式圖。
    第7圖表示本發明的實施形態(其三)的黑色微粒子之截面結構的其他例模式圖。
    第8圖表示本發明的實施形態(其三)的黑色微粒子之截面結構的其他例模式圖。
    第9圖表示本發明的實施例1、7之粉末試料之粉末X線繞射圖形。
    第10圖表示本發明的實施例2、8之粉末試料之粉末X線繞射圖形。
    第11圖表示本發明的實施例3、9之粉末試料之粉末X線繞射圖形。
    第12圖表示本發明的實施例4之粉末試料之粉末X線繞射圖形。
    第13圖表示本發明的實施例5之粉末試料之粉末X線繞射圖形。
    1‧‧‧黑色材料
    2‧‧‧1次粒子
    3‧‧‧2次粒子
    4‧‧‧微粒子
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種黑色微粒子，包含由平均粒徑為1nm以上200nm以下的金屬及/或矽所形成之1次粒子集合成的2次粒子，此2次粒子的粒徑在5nm以上300nm以下。
    [2] 如申請專利範圍第1項之黑色微粒子，其中，前述1次粒子係含有選自銀、錫、鎳所成群組之一種或兩種以上者。
    [3] 如申請專利範圍第1項之黑色微粒子，其中，前述2次粒子係在內部形成有空間部。
    [4] 如申請專利範圍第1項之黑色微粒子，其中，前述2次粒子係於最外層或由含有前述最外層的複數層所形成之外殼層的內側形成有空間部。
    [5] 如申請專利範圍第1項之黑色微粒子，其中，前述2次粒子係將形成核之物質之外表面，以最外層或由含有前述最外層之複數層所形成之外殼層予以被覆而形成核殼狀。
    [6] 如申請專利範圍第4項或第5項之黑色微粒子，其中，前述外殼層為緻密者。
    [7] 一種黑色微粒子分散液，含有：申請專利範圍第1至6項中任一項之黑色微粒子；以及高分子分散劑。
    [8] 如申請專利範圍第7項之黑色微粒子分散液，其中，前述高分子分散劑之含量相對於前述微粒子的全重量為1重量%以上10重量%以下。
    [9] 如申請專利範圍第7項之黑色微粒子分散液，其中，前述高分子分散劑為聚乙烯吡咯烷酮。
    [10] 一種黑色遮光膜，係由申請專利範圍第7至9項中任一項之黑色微粒子分散液塗布而成。
    [11] 一種附有黑色遮光膜的基材，係在基材的一主面具有申請專利範圍第10項之黑色遮光膜。
    [12] 如申請專利範圍第11項之附有黑色遮光膜的基材，其中，前述黑色遮光膜的CIE明度L*為10以下、色度a*為-1以上1以下、色度b*為-1以上1以下。
    [13] 如申請專利範圍第11項或第12項之附有黑色遮光膜的基材，其中，前述黑色遮光膜的OD值為3以上。
    [14] 一種黑色微粒子，於申請專利範圍第1至6項中任一項之黑色微粒子的表面上被覆有絕緣膜。
    [15] 如申請專利範圍第14項之黑色微粒子，其中，前述絕緣膜係金屬氧化物或有機高分子化合物。
    [16] 一種黑色微粒子分散液，係含有申請專利範圍第14項或第15項之黑色微粒子。
    [17] 一種黑色遮光膜，係由申請專利範圍第16項之黑色微粒子分散液塗布而成。
    [18] 一種附有黑色遮光膜的基材，係在基材的一主面具有申請專利範圍第17項之黑色遮光膜。
    [19] 如申請專利範圍第18項之附有黑色遮光膜的基材，其中，前述黑色遮光膜的CIE明度L*為10以下、色度a*為-1以上1以下、色度b*為-1以上1以下。
    [20] 如申請專利範圍第18項或第19項之附有黑色遮光膜的基材，其中，前述黑色遮光膜的OD值為3以上。
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    同族专利:
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    引用文献:
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    KR20170037703A|2015-09-25|2017-04-05|삼성디스플레이 주식회사|액정 표시 장치 및 이의 제조 방법|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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    JP2005040258A|JP2006225495A|2005-02-17|2005-02-17|黒色微粒子と黒色微粒子分散液及び黒色遮光膜並びに黒色遮光膜付き基材|
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